国家存储器项目重要配套道路科技五路通车

科技五路（未来二路至未来三路）段。通讯员供图

科技五路（未来二路至未来三路）段。通讯员供图

　　荆楚网消息（记者郑一鸣、通讯员彭飞、袁源）12月27日，位于东湖高新区武汉未来科技城的国家存储器项目周边重要配套市政道路——科技五路（未来二路至未来三路）段通车，为国家存储器项目投产前大型设备的进出扫除了最大障碍，为其顺利投产奠定坚实基础。

　　科技五路道排工程西起高新二路东至左岭柘树湾路，全长6.2公里，路面红线宽30-40米，是湖北省、武汉市重点项目--国家存储器项目的重要配套市政道路。此次通车的为未来二路至未来三路段，全长1.54公里。

　　国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。作为我国发展集成电路产业的重要组成部分，国家存储器基地对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。

　　武汉市、东湖高新区高度重视国家存储器基地项目，全力做好项目实施过程中的各项配套服务工作。为满足国家存储器项目投产需要，武汉光谷建设投资有限公司按照2017年12月31日前实现科技五路（未来二路至未来三路）完工通车的要求，在高新区相关单位的支持下，克服"插花地带"阻工问题，提前实现了项目通车目标。